4) JFET kanalı yarımkeçirici materialın tək fasiləsiz hissəsi olduğuna görə, qaynaq və buraxma terminalları arasında adətən heç bir fərq olmur. Qaynaqdan buraxmaya müqavimət yoxlanışına qaynaqdan buraxmaya olan məsafədə yoxlanışına kimi eyni dəyər hasil edilməlidir. Bu müqavimət giriş-qaynaq PN qovşaq (birləşmə) gərginliyi sıfır olan zaman nisbətən aşağı (maksimum bir neçə yüz Om) ola bilər. Giriş və qaynaq arasında geriyə qarışıq gərginlik tətbiq etməklə, kanalın bloklanması ölçəndə gücləndirilmiş müqaviməti oxumaqla aşkar ola bilər.

2. Enerji idarəetmə dövrəsinin hazırlanması (yarımkeçirici cihazlardan istifadə edərək).

(1) Yarımkeçirici cihazların növü.

1 | IGBT yarımkeçirici cihazların IGBT növü.

(2) SCR yarım keçiricisinin SCR növü

1 | TO-92 : 0.1A
2 | TO-202 : 2-4A
3 | TO-220 : 4-10A
4 | Metal enerji növü: 20-50A : 20-50A
5 | Sancaq (ştift) növü: 100-500A & disk növü: 1,000A

3. Dövrə diaqramını tətbiq edin.

AC tək fazalı kiçik növlü mühərriki yarımkeçirici cihazlarla idarə edin.

(1) Mərhələ ilə hazırlayın.

1 | Materialları dövrə diaqramına uyğun hazırlayın.

N-channel transistor - N-kanal tranzistoru;
Drain -buraxma; gate - qapı (giriş, keçid);
Source- qaynaq; pyhsical diagram - fiziki diaqram; Both meters show non-contuinity (high-resistance) through gate-channel junction - hər iki ölçmələr fasiləliliyini keçid (giriş) kanalı vasitəsi ilə göstərir.